（首尔10日讯）研调机构针对DRAM（动态随机存取记忆体）供应商进行调查，分析2025年第一季各家业者表现，显示SK海力士（SK hynix）超车三星电子（Samsung Electronics），首度成为全球DRAM市占王，在营收方面，SK海力士也力压三星电子，首度单季排名第一名，这也不禁让人好奇，多年来担任韩国半导体二哥的SK海力士，是如何变身成一哥的？
集邦科技（TrendForce）指出，尽管SK海力士在2025年第一季的出货量较上季缩减，导致营收季减约7.1%，为97.2亿美元，但受惠HBM3e出货比重提升，支撑售价与上季持平，排名因此上升，首度跃居第一名。
相比之下，三星电子营收季减约19%至91亿美元，跌至第二名，这主要受到HBM（高频宽记忆体）无法再直接销售到中国市场、HBM3e改版大幅降低高单价产品出货量等影响。
DRAM市占率36.9%跃居第一
另据市场研究公司Omdia最新数据，SK海力士2025年第一季在全球DRAM市场市占率高达 36.9%，首次超越三星电子的 34.4%，跃居全球第一。
Omdia指出，由于DRAM合约价格下跌和HBM 出货量下降，第一季全球DRAM销售额总计 263.3亿美元，较上一季减少9%。
尽管整体市场下滑，但SK海力士的市占率从却去年第四季的36%，上升到今年第一季的 36.9%，三星电子市占率则从同期的38.6%降至34.4%。这也是1992年三星电子成为全球最大DRAM生产商以来，首次被SK海力士踢下首位宝座。
另外一家市场追踪机构Counterpoint Research，也将SK海力士列为2025年第一季全球最大的DRAM供应商，以市占率36%压过三星电子的34%。而早在去年第四季，三星电子的营运盈利就首度低于SK海力士，结束其超过30年称霸DRAM市场的历史。
由此可见，SK海力士已从过往韩国半导体的“二哥”变为“一哥”。
搭上AI列车抢占市场先机
SK海力士首次取代三星电子的最大原因，要归功于人工智能（AI）带动的需求。
DRAM是电脑与伺服器中处理资料最常使用的一种记忆体。HBM晶片则是将多个DRAM晶片垂直堆叠，大幅提升资料处理量，并被用于如英伟达（Nvidia）图形加速器等AI训练硬体的核心组件。
自2013年全球首次开发出HBM晶片以来，尽管当时对高效能记忆体的需求有限，SK海力士仍持续投入资金精进HBM技术，最终在AI热潮来临时成功抢占市场先机。
随著生成式AI日益普及，对HBM的需求也日益成长，为了重夺市场主导权，三星计划加快HBM晶片供应。三星电子半导体事业负责人全永铉（Jun Young-hyun）今年3月指出，公司计划在第2季或下半年开始扩大12层HBM3E晶片的产能，以满足客户需求。
他还补充称，三星正按计划推进下一代HBM晶片（如HBM4与客制化HBM4）供应时程。
但三星电子不像SK海力士和美光科技，至今没有拿到英伟达HBM晶片的合约，外传三星电子的HBM3E尚未获得英伟达认证，认证进度今年4月还在卡关，Google为求保险起见，可能改换美光产品递补供应。
三星HBM3良率不到20%
尽管三星电子加快追赶脚步，SK海力士已大幅拉开双方之间的差距。SK海力士首席执行员郭鲁正（Kwak Noh-Jung）今年3月就透露，2025年的HBM产能已经售罄，目标是在今年6月底前，售完所有2026年HBM订单。
分析员与业界人士指出，三星电子落后的原因之一，是坚持采用非导电性胶膜（NCF）的晶片制造技术，导致生产出现问题；海力士则改用“批量回流模制底部填充”（MR-MUF）的技术，来解决NCF的缺陷。
不过去年3月时，传出三星电子已下单，采购用于MUF技术的晶片制造设备。
消息人士当时指出：“三星采用MUF技术，有点像是放下自尊，因为终究不得不追随SK海力士率先使用的技术。”
但三星电子之后否认，表示“有关三星将在HBM制程中采用MR-MUF技术的传闻并不属实。”强调NCF技术是HBM产品的“最佳解决方案”。
当时根据多位分析员估计，三星的HBM3晶片良率约为10%至20%，远低于SK海力士的60%至70%。不过三星驳斥了相关估算，并表示其已取得“稳定的良率”，但未进一步提供说明。
HBM支撑料续领先市场
在HBM需求稳健支撑下，SK海力士预计将在整体DRAM市场保持领先，而传统记忆体市场则因美国关税与中国竞争而面临巨大压力。
市场研究机构TrendForce预测，全球HBM市场将从2025年的380亿美元成长至2026年的580亿美元。
Counterpoint Research也预估，在强劲AI需求支撑下，HBM市场受“关税冲击”影响将相对较小。
