（首尔6日讯）前三星高层崔珍奭（66岁）因涉嫌将三星开发的核心晶片技术--20奈米制程资料泄漏给中国，再度遭拘留，此举凸显韩国在打击间谍与放缓中国取得晶片制造进展的努力。
韩国《朝鲜日报》报导，首尔地方院5日对涉嫌违反“防止不正当竞争与保护商业秘密法”的崔珍奭与吴姓前三星电子首席研究员举行拘留前的审讯，判定“有潜逃可能”，因此签发拘留令。
报导指出。崔、吴两人涉嫌将包含20奈米晶片制程所需的温度、压力等600多道手续的核心资料泄漏给中国成都高真科技。
根据首尔警察厅产业技术安保调查队掌握的讯息显示，这两人疑似将“三星电子的20奈米DRAM晶片独家技术打包泄漏”。
创立成都高真科技的崔珍奭曾任三星电子常务、海力士半导体（现为SK海力士）副社长。2023年其因涉嫌窃取三星电子晶片厂设计图，意图在中国设立20奈米DRAM的“三星电子复制厂”而被拘捕，并于11月获得保释。
