（首尔24日讯）韩国检方起诉5名韩国科技巨头三星电子（Samsung Electronics）前员工，涉嫌对中国外泄晶片技术，另外也起诉中国长鑫存储公司（ChangXin Memory Technologies）研发团队的5名员工。
首尔中央地方检察厅信息科技犯罪侦查部通报，以涉嫌违反韩国《防止不正当竞争及商业秘密保护法》和《产业技术保护法》，对5名三星前员工提起逮捕起诉，并以相同罪名对长鑫存储的研发团队5名员工提起不逮捕起诉。
涉10奈米级DRAM技术
韩国检方调查显示，长鑫储存成立后，立即聘请三星前高管——A某（化名）担任其研发室长。为取得三星独有的10奈米级动态随机存取存储器（DRAM）工艺技术，A某牵头招募各核心工序的技术骨干。过程中，三星前研究员B某（化名）把DRAM工艺核心技术配方亲笔抄录后再带离三星电子办公室，随后跳槽至长鑫储存。此举让长鑫储存完整掌握当时全球唯一的10奈米级DRAM全套工艺技术。
检方进一步查明，长鑫储存在吸收多名三星前员工后，正式启动DRAM产品研发。期间，长鑫储存还通过合作关系，额外取得韩国另一家晶片大厂SK海力士（SK Hynix）的半导体工艺相关技术。在掌握韩企两大核心半导体技术后，长鑫储存最终在2023年实现10奈米级DRAM的量产，成为中国首家、全球第4家掌握此技术的企业。
检方指出，这项技术外泄事件导致韩国核心产业技术流失，造成巨额的经济损失。据检方基于全球市场份额变化的推算，三星去年销售额减少5兆韩元（约138亿令吉）。若加上该事件对韩国整体经济的后续负面影响，总损失额至少达数十兆韩元。
