（北京24日讯）美系外资在最新出具的报告中指出，随著中国半导体自主化的加速，当地生产对国内需求的覆盖率将稳步提升。预计到2027年，中国前三大矽晶圆供应商的总产能将可满足当地36%的需求。
美系外资指出，在全球市场版图下，产业团队近期更新并检视了矽晶圆、碳化矽（SiC）基板、氮化镓（GaN）元件与绝缘栅双极性电晶体（IGBT）四大领域的供需模型。
产品价格竞争更激烈
随著中国半导体供应链自主化进程的加速，当地生产对国内需求的覆盖率将稳步提升，产品价格趋势与产能扩张方向也正悄然转变。
首先，12吋矽晶圆与6吋SiC基板在中国的“在地供应率”（即本地生产占本地需求比重）预计将自2024年的41%、80%，分别提升至2027年的54%、87%。
8吋矽晶圆平均售价则预估在2024至2026年间年复合下滑10%，价格竞争更为激烈，相较之下，12吋晶圆价格年减幅度为6%。
SiC基板的价格亦将从2024年的443美元，降至2026年的384美元，有助于缩小SiC MOSFET与传统矽基IGBT间的成本差距，提升整体竞争力。
产能扩张方向已转变
在产能方面，12吋矽晶圆的产能年复合成长率（CAGR）预计达21%，远高于8吋晶圆的3%；SiC基板则预期6吋与8吋产能将分别以26%与96%的速度扩张，以满足日益成长的市场需求。
从产业集中度观察，美系外资指出，至2027年，中国前三大矽晶圆供应商的总产能预计可满足当地36%的需求，较2024年的26%明显提升，显示产业整并效益逐步浮现。
展望中国市场规模，美系外资指出，12吋矽晶圆本地供应2024年可满足41%的需求，预计到2027年提升至54%；8吋晶圆的本地供应覆盖率亦将自64%升至78%。
SiC基板市场规模预估2025年达6.37亿美元，至2030年将以34%的年复合成长率成长至28亿美元，主要受惠于电动车渗透率提升与SiC导入比例自2025年的28%攀升至2030年的75%。届时，中国本地SiC基板供应预估将可满足84%的需求。
外资预估IGBT市场负成长
最后，美系外资指出，GaN元件市场将从2025年的4.31亿美元，成长至2030年的16亿美元，年复合成长率达30%，主要应用领域包括电动车、数据中心与消费性电子；而IGBT市场则因SiC取代趋势明显，预估规模将自2025年的42亿美元萎缩至2030年的28亿美元，年负成长率为8%。
值得注意的是，2025与2026年间，中国IGBT的供需比将超过100%，分别达128%与131%。
